BF245A BF245B
http://onsemi.com
5
350°
340°
330°
10°
20°
30°
180°
190°
200°
210°
170°
160°
150°
320°
310°
300°
290°
280°
270°
260°
250°
240°
230°
220°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
130°
140°
350°
340°
330°
10°
20°
30°
180°
190°
200°
210°
170°
160°
150°
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
40°
50°
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
130°
140°
350°
340°
330°
10°
20°
30°
180°
190°
200°
210°
170°
160°
150°
320°
310°
300°
290°
280°
270°
260°
250°
240°
230°
220°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
130°
140°
350°
340°
330°
10°
20°
30°
180°
190°
200°
210°
170°
160°
150°
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
40°
50°
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
130°
140°
Figure 13. S11g
Figure 14. S12g
Figure 15. S21g
Figure 16. S22g
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.04
0.5
0.4
0.3
0.2
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.03
0.02
0.01
0.0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.1
900
900
800
700
600
500
300
200
100
800
700
600
500
400
300
100
200
ID
= 0.25 I
DSS
ID
= I
DSS
100
200
300
400
500
600
700
800
900
900
600
700
800
ID
= 0.25 I
DSS
ID
= I
DSS
100
900
100
900
ID
= 0.25 I
DSS
ID
= I
DSS
1.5
100
400
500
600
700
800
900
ID
= I
DSS, 0.25 IDSS
COMMON GATE CHARACTERISTICS
S±PARAMETERS
(VDS
= 15 Vdc, T
channel
= 25
°C, Data Points in MHz)
相关PDF资料
BF256AG TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
BF256C_J35Z IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92
BLC6G22LS-75,112 FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
BXA-12379 INVERTER 12V TRIPLE OUTPUT CCFL
BXA-12529/PS1 INVERTER POTTED 850V CCFL LAMP
BXA-12529 INVERTER 1000V FOR CCFL UV LAMP
BXA-12549-6M INVERTER DUAL DIMMING 12V INPUT
BXA-12553 INVERTER 700V FOR CCFL LAMP
相关代理商/技术参数
BF245B WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
BF245B AMO 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245B,112 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245B,126 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92
BF245B_D27Z 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BF245B_D74Z 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BF245B_D75Z 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel